台积电年报首度提及2nm技术 去年开始研发

在2019年年报中，台积电表示，当台积电公司采用三维电晶体之第六代技术平台的3nm技术持续全面开发时，公司已开始开发领先半导体业界的2nm技术，同时针对2nm以下的技术进行探索性研究。

关于3nm制程技术，台积电表示，相较于5nm制程技术，3nm制程技术大幅提升晶片密度及降低功耗并维持相同的晶片效能。2019年，台积电的研发着重于基础制程制定、良率提升、电晶体及导线效能改善以及可靠性评估。台积电表示，今年将持续进行3nm制程技术的全面开发。

台积电未详细介绍2nm制程技术。

关于微影技术，台积电表示，去年，微影技术研发的重点在于5nm的技术转移、3nm技术的开发及2 nm以下技术开发的先期准备。5nm技术已经顺利地移转，研发单位与晶圆厂合作排除极紫外光微影量产问题。

针对3nm技术的开发，极紫外光（EUV）微影技术展现优异的光学能力，与符合预期的晶片良率。研发单位正致力于极紫外光技术，以减少曝光机光罩缺陷及制程堆叠误差，并降低整体成本。

今年，台积电将在2nm及更先进制程上将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。

台积电成立于1987年，是全球最大的晶圆代工半导体制造厂，客户包括苹果、高通等。其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。台积电公司股票在台湾证券交易所上市，股票代码为2330，另有美国存托凭证在美国纽约证券交易所挂牌交易，股票代号为TSM。

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（编辑：衡阳站长网）

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