国产存储芯片艰难突围,2025年产能可占全球12%
发布时间：2020-02-15 12:01:27 所属栏目：经验 来源：DOIT
导读：2019年国产的内存及闪存都取得了重要进展，长江存储量产了64层堆栈3D闪存，合肥长鑫量产了DDR4内存。此外，紫光也会在2021年进军内存市场，这是国内最重要的三支存储芯片力量。 不过就算开始量产，国产存储芯片的产能爬坡依然是个长期而且艰巨的任务，至少
2019年国产的内存及闪存都取得了重要进展，长江存储量产了64层堆栈3D闪存，合肥长鑫量产了DDR4内存。此外，紫光也会在2021年进军内存市场，这是国内最重要的三支存储芯片力量。
 不过就算开始量产，国产存储芯片的产能爬坡依然是个长期而且艰巨的任务，至少需要数年时间才能对全球市场产生影响。 国产存储芯片艰难突围 2025年产能可占全球12% 国金证券指出，合肥长鑫、长江存储等国内大厂量产初期，良率不佳，再受到新型冠状病毒影响设备验收及装机，预期长江存储美国/日本/欧洲的半导体设备移入将延迟数月。 此外，国内公司设计及制程工艺技术与国际大厂仍有几个世代的差距，比如长江存储的 64层 NAND vs. 三星/海力士/Kioxia/ 镁光的 96/112/128层 NAND，合肥长鑫的 1x DRAM vs. 三星/海力士/ 镁光的 1z DRAM，而造成其品质，规格种类，数量，成本及其价格均不具市场竞争力。 基于此，国金证券目前预估其全球存储器DRAM+NAND半导体市场份额在 2022年应该不会超过 5%，2025年预计可达12%。 也就是说5年后，国产的内存及闪存才能在全球市场上拿下10%以上的份额，相比现在会有质的提升，但是总体来看国产闪存、内存依然是少数派，对市场的影响恐怕还会远远落在三星、美光、东芝等公司之后。 （编辑：衡阳站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
